ОБОРУДОВАНИЕ для всех уровней образования и Детских технопарков "КВАНТОРИУМ"

МУК-ФОЭ1 Физические основы электроники

Каталог » Профессиональное образование » Электроника и микроэлектроника » МУК-ФОЭ1 Физические основы электроники
уточняйте у
менеджеров
руб.
шт. положить
в корзину

Работы выполняемые на комплексе МУК-ФОЭ

Методы электрических измерений. Вольтамперные характеристики и температурные зависимости в диапазоне температур 30-100 С параметров диодов, стабилитронов и стабисторов

Применение диодов. Предусматривается возможность сборки и анализа схемы параметрического стабилизатора на стабилитронах

Вольтамперные характеристики биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером. Предусматривается возможность измерения входных и выходных характеристик биполярных германиевых и кремниевых транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером

Малосигнальные параметры и усилительные свойства биполярных транзисторов. Предусматривается возможность измерения h-параметров биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером, а так же исследование собираемого на них усилителя. Измерения проводятся на частоте 1000Гц

Динамические свойства биполярных транзисторов. Предусматривается возможность измерения импульсных характеристик биполярных транзисторов в схемах с ОБ и ОЭ и измерение коэффициентов передачи тока a и b

Характеристика динистора. Предусматривается возможность измерения вольтамперных характеристик динистора при различных токах управления и наблюдения на осциллографе переходного процесса включения и выключения динистора

Характеристика тиристора. Предусматривается возможность измерения вольтамперных характеристик тиристора при различных токах управления и наблюдения на осциллографе переходного процесса включения и выключения тиристора

Характеристика симистора. Предусматривается возможность измерения вольтамперных характеристик симистора при различных токах управления и наблюдения на осциллографе переходного процесса включения и выключения симистора

Характеристика оптосимистора. Предусматривается возможность измерения вольтамперных характеристик оптосимистора при различных токах управления и наблюдения на осциллографе переходного процесса включения и выключения оптосимистора

Полевой транзистор с управляющим р-n переходом. Предусматривается возможность измерения выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n переходом, а так же исследование собираемого на нём усилителя

МДП транзистор. Предусматривается возможность измерения выходных характеристик полевого МДП-транзистора, а так же исследование собираемого на нём усилителя

Логические элементы. Предусматривается возможность исследования логических элементов 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ на базе КМОП или ТТЛ







Другие товары из категории:
автоматизированный лабораторный стенд для исследования ферромаг-нитных свойств твердых тел МЭ-ММ
Учебно-лабораторный комплект "Электронная техника" КЭТ
автоматизированный лабораторный стенд для исследования свойств однокомпонентных и многокомпонентных проводников – ФЭ-ПМ
 
 

Ваша корзина пуста

Дипломы и благодарности




НОВОСТИ

15.12.2019

ЛАБОРАТОРИИ «ДЕЙСТВУЮЩИХ ДВИГАТЕЛЕЙ» И «УСТРОЙСТВА И ЭКСПЛУАТАЦИИ АВТОМОБИЛЕЙ» В КИПУ ИМЕНИ ФЕВЗИ ЯКУБОВА

13.12.2019

ДЕТСКИЕ ТЕХНОПАРКИ "КВАНТОРИУМ"

 
 
 
Разработка сайта - Фарум
Дизайн и полиграфия - Агентство ЧК